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金属氧化物半导体场效应晶体管 氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是一种三极晶体管，是目前主流半导体器件。氧化物半导体场效应晶体管由负源（Source）、正源（Drain）、网络（Gate）3个极。氧化物半导体场效应晶体管的网络电压控制的是从源到排的电流的大小。因此，它又被称为电子隔离管。它是一种可控制的晶体管，它有N型和P型之分，分别对应N-MOSFET和P-MOSFET，这种晶体管可以实现电压驱动或者电流驱动。 氧化物半导体场效应晶体管的优点有：大功率得以容易地存储在器件上，体积小、可靠性高、静态电流消耗低；在分立元件种类中，MOSFET正在变得越来越先进及市场主导；具有良好的高频放大特性，勤加用于放大器系统的高频和低频段；还可以实现超大电流的驱动，从而满足电子电路设计的要求；可用于实现及时和低功耗的电路；在器件制作方面，可以把它制作成集成电路。 氧化物半导体场效应晶体管有一些缺点：要求网络电压高于源排压；静态电容较大；结构较复杂，制作困难；它敏感于辐射和静电放电，需要采用防护措施；它容易烧坏，而且在高压下进行反向工作，容易烧坏晶体管；当网络电压升高时，终端电容会降低，从而造成信号失真。 因此，氧化物半导体场效应晶体管通常被用于一些简单的电子电路中，如发射放大器、模数转换器、天线驱动器、电源管理系统等。氧化物半导体场效应晶体管的应用越来越广泛，并不断发展出新型MOSFET，以及更多更好的器件用于实现更智能化、更精确化的控制系统。