光刻技术分析和总结.docxVIP

第一章 光刻技術 光刻工藝流程簡介: 光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合,綜合性的精密表面加工技術.在液晶顯示器生產過程中, 光刻的目的就是按照產品設計要求,在導電玻璃上涂覆感光膠,並進行曝光,然後利用光刻膠保護作用, 對 ITO 導電層進行的選擇化學腐蝕,從而在 ITO 導電玻璃上得到與掩膜版完全對應的圖形. 光刻是液晶顯示器制造過程中的關鍵工藝之一,光刻質量的好壞對產品的性能影響很大,是影響成品率的關鍵因素之一,隨著高密度點陣類液晶示器.有源矩陣液晶顯示器的飛速發展,顯示屏上的圖形越來越復雜,精密度越來越高,光刻技術就顯得更為重要. 紫外光光刻膠膜 紫外光 光刻膠膜 ITO 光刻窗口 光刻膠的配制: 光刻膠的性能與光刻膠的配比有關.配比的選擇原則是:既要使光膠具有良好的抗蝕能力,又要有較高的分辨率,但二者往往是矛盾的,不能同時達到,因此,必須根據不同的光刻對象和要求,選擇不同的配比,. 由于光刻膠中溶齊用量的多少決定著光刻膠的稀稠,從而影響光刻膠的厚薄,故當的刻蝕細小圖形時,為提高分辨率,必須采用較稀的膠,使光刻膠膜薄一些.這樣光的散射和折身作影響較弱,光刻出來 的圖形清晰,邊緣整齊,但當被刻蝕的ITO 層較厚時,由一腐蝕時間較長,為了滿足抗蝕能力的要求,需采用較濃的光刻膠. 光刻膠的配比應在暗室(潔淨度較高的房間)中紅燈或黃燈下進行,用量筒按配方比例將原膠及溶劑中分別量好,再將溶劑倒入原膠,用玻璃捧充分攪拌使之混合均勻為了降低膠液中的固態含有率,改善膠膜和掩膜版的接觸以減少膠膜針孔和提高分辨率,必須把配制好的光刻膠中未能溶解的固態雜質微粒濾除,通常使用的方法有加壓法,吸引法,自然滴下法,此外,也有使用自然沉澱法或高速離心沉澱法進行過濾. 過濾好的光刻膠應裝在暗色的玻璃瓶中,並保存在陰涼和干燥的暗箱里. 光刻工藝原理及操作: 3.1.涂膠 如前所述,ITO 玻璃表面狀況對光刻膠與ITO 粘附質量影響很大,它直接影響光刻的質量和成敗,在生產中,為了保證ITO 層與光刻膠之間有良好的接觸和粘附,清洗後的玻璃應產即送往光刻工序進行 涂膠,如果玻璃擱置較久或刻返工,必須重新對玻璃表面清洗處理,再進行涂膠和光刻. 所謂涂膠就是在待光刻的ITO 玻璃表面涂覆一層光刻膠膜,涂膠要求是:粘附性良好,均勻厚薄適當. 若膠膜太薄,則針孔較多,抗蝕能力差,膠膜太厚,則分辨率低. 涂膠方法有浸涂法,噴涂法及輥涂法等,目前常用的是輥涂法和旋轉法,為了保證膠膜質量,涂膠應在超淨工作台或防塵操作箱內進行,涂膠台內溫度應保持在 20---25 度範圍內,相對濕度低于 60%,涂膠要在黃燈或紅燈照明條件下進行,以防止光刻膠露光失效. 前烘 前烘就是將涂好膠的玻璃進行加熱處理,讓膠體內的溶劑充分地揮發,使膠膜干澡以增加膠膜與 ITO 膜的粘附性和膠膜的耐磨性,這樣,當曝光進行對準時,膠膜與掩膜版才不易劃傷,磨損和沾污,同時, 只有光刻膠干燥後,在曝光時才能進行光化學反應; 前烘的方法有二種:一種是在恆溫干燥箱中烘烤,具體條件視膠的種類和性質而定;另一種方法是用紅外燈烘烤,即將玻璃放在干淨的容器內,用紅外燈從底部照射幾分鐘.此法的優點是膠膜的干燥過程是從 ITO 層與膠的交界面開始進行,溶劑逐漸從內部表面揮發,這種干燥效果較好而且烘烤時間短. 影響前烘質量的主要因素是溫度和時間.烘烤不足時(溫度態低或時間短),在膠膜與ITO 層交界面處,膠中的溶劑未充分揮發掉,在曝光時就會阻礙抗蝕劑分子的交聯,在顯影時一部隊膠被溶除,形成浮膠或使圖形變形,烘烤過頭時(溫度太高或時間太長),會導致膠膜翹曲或膠面硬化,形成不易溶于顯影液的薄膜而留下來,顯影不干淨,或膠面發皺,發黑,失去抗蝕能力. 曝光 曝光就是在涂好刻膠的玻璃表面覆蓋掩膜版,用汞燈產生的紫外光進行選擇性照射,使受光照部分的光刻膠生光化學反應,改變了這部分膠膜在顯影液中的溶解度.顯影後,光刻膠膜就呈現出與掩膜版相對應的圖形. 目前的光刻在部分采用接觸式曝光,因為這種曝光法所用的設備簡單,操作方便,它包括“定位” 和“曝光”兩個步聚,定位對光刻精度影響很大,是光刻中十分重要的一環,要認真對準.一般的操作程序是:先預熱紫光燈,待光掩膜版安裝在支架上;將光刻掩膜版支架放下,仔細調節平台微動裝置,使掩膜版上定位標志與平台(或玻璃)的定位標志準確套合.定位好後就可進行曝光.曝光後的玻璃片經顯影後用氣槍將表面水漬吹干,並檢查定位是否正確. 曝光時間,白光源到ITO 玻璃的距離,光源強弱,光刻膠的感光性能及掩膜版,玻璃厚薄等因素決定. 一般就應先試曝一片,經顯影檢查後,再決定是否調節曝光時間,如果曝光時間過短,光刻膠感光不足, 則其光化學反應不充分,光刻膠的抗蝕性能降低,顯影時部分膠會溶解,此時在顯微鏡下可觀察到膠膜 發黑,若