NMOS器件制作流程.pdfVIP

NMOS器件制作流程--第1页 NMOS 器件制作流程 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN NMOS器件制作流程--第1页 NMOS器件制作流程--第2页 1．启动exceed； 2．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe，也可为其添加一个快捷方式。 3．启动后，出现窗口如图2。 图1 启动exceed 图2 ISE7.0 启动界面 2 NMOS器件制作流程--第2页 NMOS器件制作流程--第3页 图3 ISE7.0 启动界面 4.打开ISE project窗口（双击project 图标，左上角），在左边树状图中单击 Example_Library_7.0.lnk, NMOS, 选中Id_Vd_curves,单击工具栏中的复制图标（下 图第三个图标），弹出窗口如图4 所示，点击“Yes All ”，“Id_Vd_curves”就 被复制到 “COPYED_OBJECT_ 【计算机名】”目录下了，此时会在根目录下新建一个文件 夹。（如图6 ） 图4 点击yes 图5 工具栏 3 NMOS器件制作流程--第3页 NMOS器件制作流程--第4页 图6 复制后的Id_Vd_curves，第一个文件夹为新建文件夹 5.选中复制出来的文件，单击工具栏地7 个图标（工具栏见图二）激活文 件。激活后文为黄色。（见图6 ） 6.关闭上图窗口6，双击主窗口左边第二个图标“Status ”，出现子窗口如图 7 所示。该窗口右边有9个按钮，其中“edit ”配置器件结构的描述、模拟过 程、结果显示等所有输入文件，“Run all”即开始模拟，“Abort ”可以中断模 拟。“Deselect”取消该工程的激活状 态，等等。 图7 Status 窗口 6.点击 cleaner up 按钮，出现如下图弹出窗口，点击ok 。文件变为绿色。 4 NMOS器件制作流程--第4页 NMOS器件制作流程--第5页 图8 clean up 窗口 7.点击edit 文件周围会出现一个黑框。此时进入“Id_Vd_curves”工程的修 改状态。 图9 激活后的文件 7 ．双击主窗口左边的“Tool Flow ”图标，出现工具使用流程窗口，如图8 所 示。该窗口左边显示了本工程使用的工具和使用流程，右边是本集成环境可以 使用的工具，我们可以把右边的工具拖入到左边的流程中，完成自己的设计。 “Id_Vd_curves”这个工程使用了三个工具，另外设置了一个全局参数。该工程 的模拟流程为：MDraw 把输入的器件二维剖面结构调用Mesh 工具产生模拟用 的离散化网格，然后Dessis 模拟器件的工作，统计数据，得到电流、电场等结 果，最后用Inspect把模拟结果用曲线图显示出来，另外也可以用picasso 来观察 器件内部的电场、电流分布等情况。