第三单元半导体双极器件结器件.pptVIP

第三十一页，共六十三页，2022年，8月28日 PN结正偏时，N区空穴分布： t=0 到 t=ts：在N区仍存在非平衡载流子，故pn两端的电压为正。 第三十二页，共六十三页，2022年，8月28日 N区在正向稳态时储存的空穴通过两个途径消失： *反向电路抽出 *电子空穴复合 随着少子的减少而越来越小 第三十三页，共六十三页，2022年，8月28日 第三十四页，共六十三页，2022年，8月28日 N区正向稳态时存储的电荷： 反向电压抽出的电荷总量： 第三十五页，共六十三页，2022年，8月28日 其它存储的电荷需通过复合消失： 通过求解空穴连续性方程： 解得开关二极管储存时间和下降时间： 第三十六页，共六十三页，2022年，8月28日 通过解依赖于时间的连续性方程： 第三十七页，共六十三页，2022年，8月28日 第三十八页，共六十三页，2022年，8月28日 二极管的开关速度主要由反向恢复时间 和下降时间决定。 反向恢复时间由正向电流、反向抽出电流 和N区少子寿命等因素决定。 减少寿命是提高开关频率的重要措施。 第三十九页，共六十三页，2022年，8月28日 第四十页，共六十三页，2022年，8月28日 第四十一页，共六十三页，2022年，8月28日 6.PIN二极管 PIN二极管是在P、N层之间增加了一本征层。