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- 2023-04-15 发布于四川
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本实用新型公开一种适用于激光退火的SiCSBD半导体器件，该SiCSBD半导体器件包括：金属层Ⅰ，设置于两SiO2介质钝化层之间，且两端覆盖部分两SiO2介质钝化层；在金属层Ⅰ上设置激光退火区域，在非激光退火区域的SiO2介质钝化层及金属层Ⅰ上设置反射层。在肖特基接触的非激光退火区域设置反射层，在采用脉冲激光对肖特基接触进行退火时，非激光退火区域处的脉冲激光被反射，脉冲激光仅对激光退火区域处的金属进行退火，反射层与激光的配合使用，可实现定向区域的激光退火，极大加大了激光退火工艺的选择自由度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731664 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121872345.8
(22)申请日 2021.08.11
(73)专利权人 芜湖启迪半导体有限公司
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