瞬态抑制二极管.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于四川
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本实用新型涉及半导体领域的瞬态抑制二极管,包括二极管本体和封装外壳,封装外壳罩盖于二极管本体的外围,二极管本体的顶部设有散热贴片,散热贴片的底部两侧设有安装块,二极管本体的顶部开设有用于安装散热贴片的安装槽,散热贴片通过安装块嵌入安装槽内部,封装外壳的顶部设有散热部,二极管本体两侧为焊接部,采用封装外壳设有的多个散热槽结构使二极管本体设有的散热贴片经空气的流通对二极管本体进行有效的散热,其结构简单,安装便捷,散热结构成本低,适配的瞬态抑制二极管规格型号多样,适合广泛推广。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215680671 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202122319906.8 (22)申请日 2021.09.24 (73)专利权人 深圳傲威半导体有限公司

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