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PAGE PAGE 10 10 电力电子技术 计算部分例题 2013.01 第一章 1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：u AK  0 且 u GK  0。 图 1-43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 I ，试计算各波形的电流平均值 I 、I 、 m d1 d2 I 与电流有效值 I 、I 、I 。 d3 1 2 3 0 ? ? 4 a)  2 ? 0 ? 4  ? 5 ? 4 b)  2 ? 0 ? 2 ? 2 c) ? 1 ? ? 图 1-43 2I 2 图晶1-闸43 管导电波形 解： a) I = d1 2π I sin ? td (? t ) = m ( ? m 2π 2 12 1 2? ?? ( I ? sin ? t ) 2 d (? t ) m ? 1 ) ? 0.2717 Im I I = = m 1 2 24 2 1 ??I  0.4767 I 4 2? 4 2? 3 ? 1 ? I = ? I sin ? td (? t ) = m ( ? 1 ) ? 0.5434 I d2 π ? m ?1 ? 1 ?? ( I ? sin ? t ) 2 d (? t ) m I = 2  4 1 ? π ?I d ?t ? 2 = 2 I m 2 1 m 4 2?3 4 2? 3 ? 1 m I = 2 ( 12?? 2 1 2? ? 2 I 2 d (? t ) m 0 ? I = 3 ) = I 4 m  = 1 I 2 m 上题中如果不考虑安全裕量 ,问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 I 、 I 、 I d1 d2 d3 各为多少？这时，相应的电流最大值 I 、 m1 I 、I m2 m3 各为多少? 解： 额定电流 I  T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I =157A，由上题计算结果知 I ? m1 I 0 .4767 ? 329.35， I 0.2717 I ?d1 m1 ? ? 89.48 I ? m2 I 0 .6741 ? 232.90, I ? 0.5434 I d2 m2 ? 126.56 I m3 =2 I = 314, I = 1 d3 4  I =78.5 m3 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作用。 答： 全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt 或过电流和 di/dt，减小器件的开关损耗。 RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，Cs 经 Rs 放电，Rs 起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经 VDs 从 Cs 分流，使 du/dt 减小，抑制过电压。 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器 件 器 件 优 点 缺 点 IGBT ①开关速度高且开关损耗小； ②具有耐脉冲电流冲击能力； ③通态压降较低； ④输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 ①开关速度低于电力 MOSFET； ②电压、电流容量不及 GTO GTR ①耐压高、电流大； ②开关特性好，通流能力强，饱和压降低 ①开关速度低，微电流驱动； ②所需驱动功率大； ③驱动电路复杂，存在着二次击穿 ①电流关断增益很小； GTO ①电压、电流容量大，适用于大功率场合； ②关断时门极负脉冲电流大； ②具有电导调制效应，其通流能力很强 ③开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂， 开关频率低 电 力 MOSFET ①开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好； ②所需驱动功率小且驱动电路简单； ③工作频率不高，不存在二次击穿问题  电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置 第二章 图 2-9 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路， 问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的 22最大反向电压为 2 U ；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。 2 2 答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 2以晶闸管 VT2 为例。当 VT1 导通时，晶闸管 VT2 通过 VT1 与 2 个变压器二次绕组并联，所以 VT