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实用标准文档 12V 转 220V 交流逆变器工作原理 今天我们来介绍一款逆变器(见图 1)主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 电路图(1) 工作原理： 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。一、方波的产生 这里采用CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容C1 充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz，最小频率为fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的发相器，输入端接地避免影响其它电路。 文案大全 实用标准文档 图 2 二、 场效应管驱动电路。 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路， 这里用TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图 3 所示。 图 3 三、 场效应管电源开关电路。 场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下 MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS 场效应管，其内部结构见图 4。它可分为NPN 型和PNP 型。NPN 型通常称为N 沟道型，PNP 型通常称P 沟道型。由图可看出，对于N 沟道型的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P 型半导体上。我们知道 文案大全 实用标准文档 一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压 (或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 图 4 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含一个P—N 结的二极管的工作过程。如图 5 所示，我们知道在二极管加上正向电压(P 端接正极，N 端接负极)时，二极管导通，其PN 结有电流通过。这是因在P 型半导体端为正电压时，N 型半导体内的负电子被吸 引而涌向加有正电压的P 型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N 型半导体端运动， 从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压(P 端接负极，N 端接正极时，这时在P 型半导体端为负电压，正电子被聚集在 P 型半导体端，负电子则聚集在 N 型半导体端，电子不移动，其PN 结没有电流流过，二极管截止。 图 5 文案大全 实用标准文档 对于场效应管(图 6)，在栅极没有电压时，有前面的分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态(图 6a)。当有一个正电压加在N 沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时 N 型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N 沟道之间的P 型半导体中(见图 6b)， 从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个N 型半导体之间为一条沟， 栅极电压的建立相当于为他们之间搭了一座桥梁，该桥梁的大小由栅压决定。图8 给出了P 沟道场效应管的工作过程，其工作原理类似这里就不再重复。 图 6 下面简述一下用 C—MOS 场效应管(增强型 MOS 场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图 8)。电路将一个增强型 P 沟道MOS 场校官和一个增强型N 沟道MOS 场效应管组合在一起使用。当输入端为底电平时，P 沟道 MOS 场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N 沟道 MOS 场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P 沟道 MOS 场效应管和 N 沟道场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到 0V，通常在栅极电压小于 1V 到 2V 时，MOS 场效应管即被关断。不同场效应管关断电压略有不同。也以为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。 文案大全 实用标准文档 图 8 图 9 以上分析我们可以画出原理图中MOS 场效应管部分的工作过程(见图 9)。工作原理同前所述，这种低电压、大电流、频率为50Hz 的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流