深硅刻蚀形貌控制方法.pdfVIP

下载本文档

14
0
约8.91千字
约 12页
2023-04-21 发布于四川
举报

深硅刻蚀形貌控制方法.pdf

本发明揭示了一种深硅刻蚀形貌控制方法，所述深硅刻蚀形貌控制方法包括：步骤S1、在硅片的版图结构上增加释放图形的设计结构,在硅片上的设定位置形成空腔结构；步骤S2、在经过步骤S1处理后的硅片上生长至少一层氧化层；步骤S3、将经过步骤S2处理的硅片与一裸硅晶圆键合，所述裸硅晶圆位于所述硅片的上方；步骤S4、通过深硅刻蚀将所述裸硅晶圆刻穿并停留在氧化层；步骤S5、将释放图形底部的氧化层腐蚀干净。本发明提出的深硅刻蚀形貌控制方法，可在实现相同的结构形貌的前提下实现梳齿结构无损伤，确保器件的性能可靠。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113880043 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110955977.9 (22)申请日 2021.08.19 (71)申请人上海矽睿科技股份有限公司

您可能关注的文档

文档评论（0）

1亿VIP精品文档

更多 >

深硅刻蚀形貌控制方法.pdfVIP

深硅刻蚀形貌控制方法.pdf

您可能关注的文档

最近下载

文档评论（0）

1亿VIP精品文档

相关文档