双极晶体管直流特性.pptxVIP

双极晶体管直流特性;第三章 双极型晶体管的直流特性;3.1 双极晶体管的基础;2023/2/26; 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。; 加在各PN 结上的电压为：;放大状态：;;; （1） 基区必须很薄，即WB LB ； ; 晶体管放大电路有两种基本类型，即 共基极接法 与 共发射极接法 。;;;;; 忽略势垒区产生复合电流， 处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示：; 从 IE 到 IC ，发生了两部分亏损： InE 与 In r 。 要减小 InE ，就应使NE NB ； 要减小In r ，就应使WB LB 。;; 共发射极接法：; 根据 ，及 的关系，可得β与α之间有如下关系：; 定义：由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比，称为 注入效率（或 发射效率），