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- 2023-04-22 发布于四川
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一种高结晶GaN薄膜的制备方法涉及宽带隙半导体领域，采用一种简单、绿色、低成本的化学气相沉积法在衬底上生长获得了高质量的GaN薄膜。以N2气为氮源，通过等离子发生装置形成N等离子，采用固体镓源，在800‑1000℃下，N2气流量为10‑300sccm，射频功率为50‑300W，调控N等离子体密度，反应0.5‑10h，获得了高结晶质量的GaN薄膜。本专利解决了现在GaN制备过程中出现的高成本、复杂工艺和危险且有毒环境的问题，为发光二极管、激光发射器、紫外光探测器、高电子迁移率晶体管的制备提供一种可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113930745 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111165332.1
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 北京工业大学
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