二极管辅助的学习教案.pptxVIP

二极管辅助的学习教案;(1).U↑?q(V?-U)位垒高度↓ ?耗尽层变薄?扩散运动(多子)↑ ?扩散电流↑;(1).U↑?q(V?-U)位垒高度↑ ?耗尽层变厚?扩散运动(多子) ↓ ?扩散电流↓;Is ?饱和电流; UT=kT/q ?为温度电压当量。 k ?波尔兹曼常数； (T=300k;时 UT=26mv);;2. 晶体二极管的理想伏安特性：;1.正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：Ur=0.5-0.7v; 锗：Ur=0.1-0.2v 2.加反向电压时相同温度下： Is硅(nA,10-9)Is锗(?A,10-6) 硅管比锗管稳定：(EG(si)EG(Ge) 3.当反压增大UB时再增加，反向激增，发生反向击穿， UB称为反向击穿电压。;当加正向电压时：I随U↑，呈指数规率↑。;;1.正向起始部分有门限电压： 硅：Ur=0.5-0.6v; 锗：Ur=0.1-0.2v 2.加反向电压时，相同温度下： Is硅(nA,10-9)Is锗(?A,10-6) 硅管比锗管稳定：(EG(si)EG(Ge) 3.当反压大时，反向击穿，击穿电压为UB;正向电压时： (1).OQ斜率的倒数是正向电阻R。 (2).R与Q有关，Q不同,R也不同 反向电压时：I很小，R很大。;(2).MN的斜率: tg?= I/ U=-1/ RL;作Q的切线，则有: r=?U/ ? I; 或r=dU/dI 因为： I=Ise U/ nUT; 交流电导： g=dI/dU=I/(nUT) 交流电阻：r=1/g= nUT/I 若室温下n=1：UT=26mv 交流电阻：r=26mv/ ID(mA);(一).反向击穿现象: 反向电压超过一定值时导致二极管击穿，分为电击穿热击穿 1.电击穿: (1).雪崩击穿：当U↑，载流子获得能量高速运动，产生碰撞电离，形成连锁反应，象雪崩一样。使反向电流I↑。 (2).齐钠击穿：当U↑，强电场直接破坏共价键。将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流I↑。 2.热击穿: 当U↑，时,耗散功率超过PN结的极限值,使温度升高,导致PN结过热烧毁. ;（二）稳压二极管;(一).势垒电容CT: 把PN结看成平板电容器，加正向电压或反向电压时像电容的充放电。（此电容效应为势垒电容） (二).扩散电容CD: 扩散电容是由载流子在扩散过程中的积累引起的电容。 (三). 变容二极管： 利用结势垒电容CT随外电压U的变化而变化的特点制成的二极管。;二.发光二极管： 定义：当管子加正向电压时，在正向电流激发下，管子发光。 类型：发光的颜色有红，黄，绿，蓝，紫。 用途：主要用于显示。;;;二极管应用;;（五）电容滤波电路:;第四节 二极管的应用;（二）全波整流;（三）桥式整流：;对输出电压来讲纹波分量过大将对电子设备产生严重干扰，必须降低。;1. 对直流信号: C的容抗?无穷(相当于开路) 2. 对交流信号: 依靠电容的充放电作用可减小纹波：; 二.稳压电路：;三.LED显示器：;四. 半导体二极管的型号;半导体二极管图片; 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物体。 具有如下特性：温敏性、光敏性和掺杂特性。 以上特性对半导体的导电能力有较大影响，利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。 PN结是构成半导体器件的基本单元，具有单向导电性、非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。 当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。 当PN结加反向电压时，PN结截止，呈现高阻特性。; 晶体二极管实际上就是一个PN结；描述二极管的性能 （即：伏安特性）可用二极管的电流方程来描述： I=Is(e U/UT-1) ≈ Is e U/UT 硅管：当UD0.7V时，二极管导通，导通后，UD=0.7V 锗管：当UD0.2V时，二极管导通，导通后，UD=0.2V 稳压管是一种的特殊类型的二极管； 工作区在反向击穿区，可以提供一个稳定的电压。 晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。 半导体光电器件分光敏