二极管和晶体管 .pptxVIP

第1页/共58页二极管和晶体管 第2页/共58页晶体管的诞生 1947年12月16日 威廉·邵克雷（WilliamShockley） 约翰·巴顿（JohnBardeen） 沃特·布拉顿（WalterBrattain） 成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管，开辟了电子技术的新纪元;1950年，威廉·邵克雷开发出双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor），就是现在通用的标准的晶体管。 第3页/共58页晶体管的作用 晶体管是当今数字世界的构建模块，被认为是20世纪最伟大最重要的发明之一。从最早被人们熟知的半导体，到如今随处可见的手机、随身听、以及各种便携式存储器、 DVD、电视机、电脑等各种家用电器。只要你能想到的电子产品，几乎都运用了晶体管技术。 英特尔公司董事长贝瑞特博士在庆祝晶体管诞生60周年时曾说。“晶体管太有魅力了！它改变了世界，改变了我们每个人的生活、学习和工作方式。在人类发展的路程上，晶体管是我们‘最好的朋友’。”第4页/共58页目 录14.1 半导体的导电特性14.2 PN结及其单向导电性14.3 二极管14.4 稳压二极管14.5 晶体管14.6 光电器件第5页/共58页本章要求一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流分配和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、掌握含有二极管电路的分析方法。第6页/共58页14.1 半导体的导电特性半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的 物质。半导体的导电特性：热敏特性 光敏特性 掺杂特性第7页/共58页半导体的导电特性：热敏特性：当环境温度升高时，导电能力增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏特性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。掺杂特性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力显著增强(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。第8页/共58页14.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素.硅的原子结构第9页/共58页14.1.1 本征半导体晶体中原子的排列方式第10页/共58页价电子SiSi共价键SiSi14.1.1 本征半导体 本征半导体晶体结构中的共价健结构 纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构，所以半导体也称为晶体 ——晶体管名称的由来第11页/共58页空穴SiSiSiSi自由电子14.1.1 本征半导体自由电子与空穴 共价键中的电子在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子同时在共价键中留下一个空穴。第12页/共58页空穴SiSiSiSi自由电子14.1.1 本征半导体热激发与复合达到动态平衡 由于受热或光照产生自由电子和空穴的现象----- 热激发 自由电子在运动中遇到空穴后，两者同时消失，称为复合现象第13页/共58页空穴SiSiSiSi价电子14.1.1 本征半导体半导体导电方式载流子自由电子和空穴 当半导体两端加上外电压时，自由电子作定向运动形成电子电流；而空穴的运动相当于正电荷的运动温度对半导体器件性能的影响很大。第14页/共58页本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。第15页/共58页 Si Si Si Sip+14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。磷原子失去一个电子变为正离子第16页/共58页 Si Si SiB– Si14.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺入三价元素空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子第17页/共58页14.1.2 N型半导体和P型半导体 注意：不论N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种