半导体中的非平衡过剩载流子.pptVIP

半导体中的非平衡过剩载流子;非平衡载流子的产生与复合 非平衡载流子的寿命 准费米能级 复合理论 陷阱效应 载流子的扩散运动 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 连续性方程;载流子的产生与复合 产生——电子和空穴的生成过程 复合——电子和空穴消失的过程;载流子的产生率 载流子的复合率;　　对半导体施加外界作用(光, 电等)，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。;　　在一定T下，无光照时，一块半导体中，电子、空穴浓度分别为n0和p0,假设是n型半导体，则n0?p0，其能带图如图示。;　　用光子能量大于该半导体禁宽的光照射半导体，光子能把价带电子激发到导带，产生电子-空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子△n，价带比平衡时多出一部分空穴△p，表示在图方框中。;　　△n和△p就是非平衡载流子浓度，也叫过剩载流子。 △n称非平衡多子， △p为非平衡少子（p型相反）。;　光照半导体产生非平衡载流子，称非平衡载流子的光注入。 光注入时，有： △n=△p 注入非平衡载流子浓度比平衡多子浓度小得多， 即：△n、△p?多子浓度 小注入;　例：　 1Ω·cm的n型硅中，n0≈5.5×1015cm-3,注入非平衡载流子△n=△p=10