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- 2023-04-23 发布于北京
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发射极主端子(3)通过多个第1键合线(15)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。发射极参考端子(4)通过第2键合线(16)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。劣化部位确定部(9)参考规定了针对作为集电极主端子(2)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第1电压的时间变化以及作为发射极参考端子(4)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第2电压的时间变化的组合的、多个第1键合线(15)与分别连接的发射极电极面(12)之间的多个接合部位(20)之中的劣化部位的对应信息
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113994467 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 201980097627.4 (51)Int.Cl.
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