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带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管及制作方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管及制作方法.pdf

    本发明公开了一种带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管，主要解决现击穿电压和导通电流密度低的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、多沟道层、GaN帽层和钝化层，该多沟道层和GaN帽层的两侧为阴极，中间为圆形槽状阳极，且阳极上端与槽口上表面有水平方向上的交叠，该GaN帽层的上部与阳极上端水平部分之间设有环状P型终端，该多沟道层包括n组沟道，每组由上AlGaN势垒层、AlN插入层和下GaN沟道层组成。本发明能缓解阳极附近电场集中现象，提高击穿电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023808 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111297683.8 (22)申请日 2021.11.04 (71)申请人 西安电子科技大学 地址

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