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- 2023-04-24 发布于北京
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本发明公布一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：S10、对SiC外延片表面进行标准RCA清洗；S20、将清洗好的SiC外延片放入腔室1中，通入三甲基铝烷和氨气，在T1温度下，在SiC外延片上表面生长AlN介质层，生长时间为t1；S30、将生长有AlN介质层的SiC外延片放入腔室2中，通入氧气或混合气，在T2温度下，将部分或全部AlN介质层氧化，生成AlON氧化层，氧化时间为t2。本发明实例通过氧化AlN一方面得到禁带宽度更高的AlON，可以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114023634 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111299775.X
(22)申请日 2021.11.04
(71)申请人 湖南大学
地址 41
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