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衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法.pdf

    提供一种半导体衬底中的凹入部分及形成所述凹入部分的方法。所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩模；在所述掩模的顶表面上及在所述掩模的至少一个侧壁上，及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的至少一个表面上形成保护层；执行第一蚀刻工艺以去除在所述掩模的所述顶表面上及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的底表面上的所述保护层；及执行第二蚀刻工艺以去除其余保护层及蚀刻所述半导体衬底以形成所述凹入部分。以此方式，可实现具有相对平滑及竖直的侧壁的凹入部分。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068319 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110478658.3 (22)申请日 2021.04.30 (30)优先权数据 16/988,32

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