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- 2023-04-25 发布于四川
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一种半导体芯片，包括：基底，包括元件区、隔离保护环区与密封环区，所述元件区与所述隔离保护环区被所述密封环区环绕；第一元件，位于所述元件区内；第二元件，位于所述元件区内，被所述隔离保护环区环绕，所述第二元件的操作电压大于所述第一元件的操作电压；隔离保护环，位于所述隔离保护环区中，环绕在所述第二元件的周围；以及保护层，位于所述元件区、所述隔离保护环区与所述密封环区上，且至少具有一开口，裸露出所述隔离保护环的顶面。所述隔离保护环包括：第一掺杂区，位于所述隔离保护环区内的所述基底中；以及导体环堆迭，位于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068671 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110489389.0
(22)申请日 2021.05.06
(30)优先权数据
109125982
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