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浮栅型分栅闪存的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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浮栅型分栅闪存的制造方法.pdf

    本发明公开了一种浮栅型分栅闪存的制造方法，其包括以下步骤：沉积并刻蚀形成第三侧墙介质层；以第一侧墙介质层、选择栅介质层、氧化硅层、第三侧墙介质层作为硬质掩膜，将两侧剩余的浮栅多晶硅层、多晶硅间ONO层、多晶硅层去除，并进行LDD注入形成LDD区；去除先进CMOS区域的光刻胶，再次涂光刻胶并显影使得闪存区域以光刻胶盖住注入先进CMOS器件的LDD和Halo；沉积并刻蚀形成第四侧墙介质层，源漏注入形成源漏区。本发明将减小了浮栅型分栅闪存的侧墙介质层厚度，使得控制栅的长度等于第一侧墙介质层的厚度加上先

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038856 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111370379.1 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司

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