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二极管新员工第1页/共31页 主要内容一、半导体器件： 二极管和三极管是最常用的半导体器件。重点介绍二极管的结构、伏安特性、主要参数以及常用的特殊二极管。简单介绍三极管的结构、放大作用、特性曲线及主要参数二、直流稳压电源： 在生产实践、科学实验、日常生活中都需要直流电源，而且在某些场合对直流电压的稳定程度要求很高，因此本部分主要介绍如何将交流电转换成直流电源，以及稳压电路。第2页/共31页 学习目标一、理解PN结的单向导电性。二、了解二极管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。四、理解单相整流电路和滤波电路的工作原理第3页/共31页 第一节 半导体的基础知识第4页/共31页 一 半导体的概念物质的分类(导电能力)导 体(铜 铁)半导体硅(Si) 锗(Ge)绝缘体(石头 木头)第5页/共31页 二 半导体的特性热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等) 掺杂性： 往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管)第6页/共31页 三 半导体的结构硅原子结构简化模型最外层有4个电子，受原子核的束缚力最小，称为价电子。导电性能与价电子有关。第7页/共31页 三 半导体的结构半导体的共价键结构第8页/共31页 四 半导体的类型(一)本征半导体第9页/共31页 共价键自由电子空穴电子空穴对本征激发（热激发）空穴也可以看成是携带正电荷的载流子复合导电能力由电子空穴对的浓度决定常温下，本征硅中自由电子的浓度或空穴的浓度为硅原子浓度的3万亿分之一本征硅的导电能力是很弱的第10页/共31页 （二） 杂质半导体为了提高半导体的导电能力，掺入某些微量的元素作为杂质，称为杂质半导体。掺入磷、砷等五价元素，多余的价电子成为自由电子，且浓度远远超过电子空穴对。自由电子为多子；空穴为少子。(1) N型半导体第11页/共31页 (2) P型半导体掺入硼、镓等三价元素。这种半导体以空穴导电为主，称为P型半导体。空穴为多子；自由电子为少子。杂质半导体中，多子浓度由杂质的含量决定，少子的浓度主要由温度决定。第12页/共31页 第二节 PN结及其特性一、半导体中载流子的运动漂移运动扩散运动在电场作用下的定向运动。自由电子与空穴产生的电流方向一致。载流子由浓度高的区域向浓度低的区域扩散。第13页/共31页 二、PN结的形成P区空穴(多子)向N区扩散，留下不能移动的负离子；N区电子(多子)向P区扩散，留下不能移动的正离子；正负离子形成空间电荷层。内电场是多子的扩散运动引起的。第14页/共31页 三、PN结的特性正偏：P(＋) N(－)N区电子进入空间电荷层，使PN结厚度变薄。多子的扩散电流大大增加多子的扩散电流大大增加少子的漂移电流远远小于扩散电流正向电流近似为多子的扩散电流第15页/共31页 反偏：P(－) N(＋)外加电场与内电场方向一致P区电子（少子）进入空间电荷层，使PN结厚度变厚。多子的扩散电流大大减小少子的漂移电流占优势反向电流近似为少子的漂移电流少子浓度很小，因此反向电流远远小于正向电流；少子浓度与外加电压无关，故称反向饱和电流。第16页/共31页 结 论 PN结在正向电压作用下，电阻很小，PN结导通，电流可顺利通过PN结在反向电压作用下，电阻很大，PN结截止，阻止电流通过这种现象称为PN结的单向导电性第17页/共31页 第三节 半导体二极管一、二极管的结构一个PN结加上引出线和管壳就构成二极管金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳( a ) 点接触型第18页/共31页 铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线( b ) 面接触型第19页/共31页 阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅( c ) 平面型第20页/共31页 阴极阳极( d ) 符号第21页/共31页 二、二极管的伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+ 反向电流在一定电压范围内保持常数。第22页/共31页 三、二极管的主要参数1、最大整流电流IF  是二极管长期运行时允