基于负泊松比结构的应变传感器阵列及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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基于负泊松比结构的应变传感器阵列及其制备方法和应用.pdf

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本发明提供一种基于负泊松比结构的应变传感器阵列及其制备方法和应用，涉及传感器领域。该应变传感器阵列包括依次层叠设置的柔性封装层、压阻敏感层和柔性基底层；所述压阻敏感层包括：应变传感阵列，所述应变传感阵列由若干个传感单元相互连接而成，所述传感单元具有负泊松比性质；柔性电极，所述柔性电极与所述应变传感阵列的两端连接；传感线路，所述传感线路与所述柔性电极连接，所述传感线路用于为所述柔性电极和所述应变传感阵列传输电流；薄膜基片，所述薄膜基片与所述应变传感阵列的一面贴合，所述薄膜基片用于负载所述应变传感阵

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114076564 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010842975.4 (22)申请日 2020.08.20 (71)申请人广州