具有掩埋场电极连接的晶体管器件.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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具有掩埋场电极连接的晶体管器件.pdf

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公开了具有掩埋场电极连接的晶体管器件。一种半导体器件包括：半导体衬底；沟槽，其被形成在衬底中并且彼此平行地纵向延伸，沟槽具有将沟槽中的相邻沟槽互连的连接区；半导体台面，其在第一横向方向上被由沟槽彼此分离并且在横越第一横向方向的第二横向方向上被由连接区彼此分离；在至少一些沟槽中的栅极电极和在栅极电极下方的场电极，并且栅极电极和场电极彼此介电绝缘并且与半导体衬底介电绝缘；第一接触，其竖向延伸到半导体台面中的一个或多个晶体管器件区中；以及第二接触，其竖向延伸到连接区中的场电极中，使得栅极电极不被第二接

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078956 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110924316.X H01L 29/739 (2006.01) (22)申请日