氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约1.22万字
约 12页
2023-04-27 发布于北京
举报
版权申诉

氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法.pdf

1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模；以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜，其中，感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，刻蚀气体包括NF3，辅助气体包括O2和Ar，辅助气体与氧化钒薄膜作用产生保护层覆盖氧化钒薄膜的侧壁。该刻蚀方法能够解决钻蚀以及悬垂的问题，避免刻蚀后腐蚀现象的发生，保证刻蚀后氧化钒薄膜的侧壁具有较高质量，使半导体器件具有较高的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171641 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202111439662.5 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人北京燕东微电子科技有限公司