一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于四川
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一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法，其中所述绝缘保护的倒装LED芯片结构在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。本发明采用包围式绝缘保护的LED芯片结构，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，能够降低漏电率，提升芯片的良率，同时增强出光效率，增强器件长期使用的可靠性，抑制水汽侵蚀。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156385 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111294087.4 (22)申请日 2021.11.03 (71)申请人普瑞（无锡）研发有限公司