一种横向磁场变频电流控制系统及单晶生长缺陷控制方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种横向磁场变频电流控制系统及单晶生长缺陷控制方法.pdf

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本发明公开了一种横向磁场变频电流控制系统及单晶生长缺陷控制方法，变频机构包括变频器和底板，变频器的外表面与底座的外表面固定连接，底板的外表面与底座的外表面固定连接，底板的外部设置有防护罩，本发明涉及单晶生产技术领域。该横向磁场变频电流控制系统及单晶生长缺陷控制方法，通过设置变频机构，通过滑动滑环改变滑环在电阻棒上的位置，以改变变频器内部控制电路的电流，从而通过不同电流值以进行横向磁场线变频电流精准且快速的调节，满足单晶棒生长过程中的需求，避免单晶棒生长界面的缺失，通过上述结构的组合解决了单晶生长

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114150372 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202210123584.6 (22)申请日 2022.02.10 (71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司