一种具有三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种具有三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管.pdf

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本发明公开了一种具有三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，衬底层上面为全埋氧层；全埋氧层上面为硅膜层；硅膜层包括源区、硅体、漂移区、漏区和三角埋氧层；源区和硅体位于硅膜层一侧，硅体包围源区，且源区位于硅膜层顶部；漏区位于硅膜层另一侧顶部；漏区、硅体和三角埋氧层之间的区域为漂移区；三角埋氧层位于全埋氧层上方；沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；栅氧化层位于沟道和漂移区上方；扩展氧化层位于漂移区上方；扩展氧化层和栅氧化层的两个相邻侧面接触；栅氧化层被栅电极全部覆盖，扩展氧化层被栅电极部分覆盖；源电极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171582 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202111483996.2 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人杭州电子科技大学温州研究院有限