凝聚态物理隧穿晶体管刘强.pptxVIP

凝聚态物理隧穿晶体管刘强第1页/共14页 隧穿晶体管（TFET）—高能效电子开关第2页/共14页 主要内容2023/5/231.隧穿晶体管工作机制2.隧穿晶体管的性能改良3.述评与结论第3页/共14页 1.隧穿晶体管工作机制2023/5/24原理阐述 G N+ N+P掺杂1.2V1.2V N- G N+ P++1.2V1.2V关断状态关断状态加栅极电压加栅极电压第4页/共14页 1.隧穿晶体管工作机制2023/5/25原理阐述对MOS管来说 G N+ N+特点：1.耗尽层电容为正；2.受温度线性影响。对TFET来说第5页/共14页 1.隧穿晶体管工作机制2023/5/26原理阐述特点：1.隧穿过程不受温度的一级影响 ；2.要增大隧穿概率，需要：第6页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/27增大 的方法1.减小栅氧厚度2.多栅与环栅第7页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/28增大 的方法3.减少体厚：可以保证继续减小栅长第8页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/29减小λ的方法1.高的掺杂浓度梯度；2.器件几何结构与尺寸：环栅、小的体厚；3.大的栅氧电容。4.窄的禁带Eg N- G N+ P++在几纳米内分出4、5个浓度数量级无掺杂区域λ1λ2第9页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/210漏电流的产生漏电流的产生：降低掺杂浓度第10页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/211III-V族半导体栅极电压Vg?如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子？Group III-V-semiconductor-based TFETsSi、Ge是间接带隙半导体，而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体，可以提供较高的迁移率。第11页/共14页 2.隧穿晶体管的性能改良2023/5/212TFET的缺点缺点1：工作电流太小缺点2：工作频率低可应用于高温中频低功耗电路。第12页/共14页 3.述评与结论2023/5/213隧穿晶体管极限？1.TFET在一定的尺寸、掺杂条件下，其SS可以突破60mv/dec限制。2.TFET在小尺寸、低功耗、高温等条件下对MOSFET有一定优势。3.采用Het-J-TFET可以显著改善TFET的工作电流。在Ioff和Ion之间有较好的折中。4.TFET需要继续增大其工作电流和工作频率，才对现有的MOSFET有较大的替代优势。这需要更多的实验分析和更普遍的器件模型。第13页/共14页 感谢您的欣赏第14页/共14页