化学气相沉积CVD原理及其薄膜制备.pptxVIP

化学气相沉积CVD原理及其薄膜制备第1页/共32页 CVD 原理 定义 气态物种输运 沉积过程热力学和动力学 CVD 技术分类 CVD 制备薄膜 CVD 技术的优缺点概 要第2页/共32页 孟广耀，化学气相淀积与无机新材料，北京：科学出版社，1984载气载气气态源液态源固态源前驱物 气体气相输运反应 沉积衬底托架卧式反应器衬底立式反应器CVD (Chemical Vapor Deposition)是通过气态物质在气相或气固界面上发生反应生成固态粉体或薄膜材料的过程第3页/共32页 K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170实验室用典型CVD设备沉积SiC涂层装置简图气相前驱体供给系统化学气相沉积系统排出气控制系统第4页/共32页 气态物种的输运热力学位的差异－驱动力(压力差、分压或浓度梯度和温度梯度)气体分子定向流动、对流或扩散气态反应物或生成物的转移沉积速率、沉积机理和沉积层质量第5页/共32页 开管气流系统中的质量输运——水平反应管中的气流状态层流和紊流 通常用流体的雷诺数(Re)来判断 ρ、v、η分别为流体的密度、线流速和粘度系数，d为圆管直径临界雷诺数： RR上临 紊流 RR下临