半导体装置及半导体存储装置.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体装置及半导体存储装置.pdf

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实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1电极，电连接在氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在氧化物半导体层的相对于第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极之间、及氧化物半导体层与第2电极之间的至少任一位置，且含有氧(O)及氮(N)中的至少任一元素、第1金属元素、以及与第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267728 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110220032.2 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据