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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。本发明的制备方法简单，且制备的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300575 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111597763.5 H01L 31/109 (2006.01)
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