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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提供了光刻拼接误差的检测方法、二维光栅的制造方法及掩模板,光刻拼接误差的检测方法包括:在衬底上形成光刻胶层;利用掩模板执行曝光和显影工艺形成图形化的光刻胶层,掩膜版包括第一重复曝光区域和第二重复曝光区域,第一重复曝光区域和第二重复曝光区域位于掩模板的曝光区边缘,第一重复曝光区域上的光栅图形与第二重复曝光区域上的光栅图形互补,曝光时相邻曝光场的第一重复曝光区域和第二重复曝光区域重叠;利用缺陷扫描设备检测相邻曝光场的第一重复曝光区域和第二重复曝光区域形成的图形化的光刻胶层的拼接误差。根据拼接误
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114296321 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111643281.9
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 上海
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