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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于北京
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体结构，包括：基底；第一介质层，第一介质层位于基底的上表面；电容，电容沿第一介质层厚度方向贯穿第一介质层，并延伸至第一介质层的上表面，且与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层上表面；第一金属层，位于第二介质层的上表面；第一导电插塞，位于导电金属层的上表面并与导电金属层电连接；第三介质层，位于第二介质层的上表面；第二金属层，第二金属层包括位线，位于第三介质层的上表面，且与板线金属层电连接。本申请使得电容面积脱离半导体器件面积的限制，在单位微缩的情况下仍能够保持足

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334970 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011062694.3 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 无锡华润微电子有限公司

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