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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300537 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111506390.6
(22)申请日 2021.12.10
(71)申请人 重庆邮电大学
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