原创力文档- 2
- 0
- 约3.45万字
- 约 26页
- 2023-05-05 发布于四川
- 举报
本申请的实施例公开了一种ROM存储单元及ROM存储单元存储信息的读取方法，涉及存储技术领域，为能够提高ROM存储单元的存储密度而发明。所述ROM存储单元，包括：第一晶体管和2n根位线，其中n为大于等于1的自然数；所述第一晶体管的栅端与第一字线相连，所述第一晶体管的源端与地线或电源线相连，所述第一晶体管的漏端与所述2n根位线中的其中一根位线相连；其中，所述第一晶体管所存信息的第一位，根据所述第一晶体管的漏端相连的位线中的电流大小确定；所述第一晶体管所存信息的第二位，根据所述2n根位线中的预设位线或
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300028 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111528811.5
(22)申请日 2021.12.14
(71)申请人 成都海光微电子技术有限公司
文档评论（0）