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一种MOSFET功率模块和制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种MOSFET功率模块和制备方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域中的一种MOSFET功率模块和制备方法，包括隔离部件、第一烧结层、若干MOSFET器件、第二烧结层、第一基板和第二基板，隔离部件的两端面均设置有第一烧结层，且隔离部件通过第一烧结层与MOSFET器件相连，第一基板和第二基板的一端面均设置有金属浆料烧结层，金属浆料烧结层上设置有若干金属基层单元，MOSFET器件与金属基层单元相适配，且MOSFET器件通过第二烧结层与基层单元相连，第一基板与第二基板扣合配合，第一烧结层和第二烧结层均为导电材料，具有质量率高的优点，突破了现有键

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300448 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111640211.8 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心

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