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三维存储器及其形成方法、及存储系统.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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三维存储器及其形成方法、及存储系统.pdf

    一种三维存储器形成方法包括：提供基层，基层包括衬底及设置在衬底上的中间层；于中间层内形成第一孔，第一孔内形成有填充材料；于中间层上形成堆叠层，堆叠层包括交替排布的第一绝缘层及第一牺牲层；形成贯穿堆叠层的第二孔；去除填充材料，形成由第一孔及第二孔构成的深孔，第一牺牲层的侧面暴露于深孔的侧壁；经深孔去除第一牺牲层，并形成第一栅极结构。本公开实施例先形成第一孔，再利用填充材料作为刻蚀停止层，形成第二孔，深孔底部关键尺寸及深孔底部的位置预先通过第一孔设置，改善深孔刻蚀沟槽均一性，保证深孔底部关键尺寸，提

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300464 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111643248.6 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

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