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一种非对称半导体结构的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种非对称半导体结构的制作方法.pdf

    本发明公开一种非对称半导体结构的制作方法，包括：提供具有第一通孔的第一晶圆；提供第二晶圆，在其上形成具有第二通孔的光刻胶层；其中，第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；将第一晶圆与第二晶圆键合在一起，以使第一通孔与第二通孔连通成非对称的沟槽结构；以第一晶圆和光刻胶层为掩膜，对第二晶圆进行刻蚀，以在第二晶圆上形成非对称半导体结构；解键合去除第一晶圆和光刻胶层。通过先提供具有第一通孔的第一晶圆，然后提供具有第二通孔的光刻胶层的第二晶圆，并将第一晶圆和第二晶圆键合使第一通孔和第二通孔连通形成非对称的沟槽结

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300354 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111555966.8 (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司

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