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半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

    本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含一鳍状结构，一栅极结构，一外延层，一锗层，一层间介电层以及一第一插塞。该鳍状结构设置在一基底上。该栅极结构横跨该鳍状结构。该外延层设置在该鳍状结构内且邻接该栅极结构。该锗层设置在该外延层上。该层间介电层覆盖在该基底及该鳍状结构上。该第一插塞设置在该层间介电层内并接触该锗层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300363 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111637731.3 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

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