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- 2023-05-09 发布于四川
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本发明涉及硅晶片和外延硅晶片。提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为1.2mΩ·cm或更小，并且碳浓度为3.5×1015个原子/cm3或更大。与硅晶片的中心深度相比，硅晶片表面附近的碳浓度降低10%或更多。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116072514 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202211367234.0 C30B 30/04 (2006.01)
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