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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-09 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第二区连接，且在沿第四方向上，同一字线连接多个半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，位线与半导体柱的第一区连接，且在沿第五方向上，同一位线连接多个半导体柱；其中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧，或者，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116075152 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202310215733.6 (22)申请日 2023.03.02 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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