具有增强的高迁移率沟道元件的高性能纳米片制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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具有增强的高迁移率沟道元件的高性能纳米片制造方法.pdf

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一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一晶体管对。第一晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管具有第一沟道区，该第一沟道区包括具有第一带隙值的一个或多个第一纳米沟道。该一个或多个第一纳米沟道沿着该衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。p型晶体管具有第二沟道区，该第二沟道区包括由化合物材料制成的一个或多个第二纳米沟道，该化合物材料具有基于该化合物材料的预定材料比的第二带隙值。该一个或多个第二纳米沟道沿着衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503277 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080067957.1 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限