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四场效应晶体管第1页/共37页 §1.4. 1 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 1. 结型场效应管 箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。N沟道结型场效应管的结构动画D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当e第2页/共37页 2. 工作原理ID（1）VGS对导电沟道的影响：VP(VGS(OFF) )：夹断电压(a) VGS=0，VDS=0，ID=0 结型场效应管通常工作在反偏的条件下。N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。N沟道结型场效应管工作原理：第3页/共37页 工作原理(c) |VGS | =? VP ? ，导电沟道被全夹断(b) 0? VGS ? ? VP ?? VGS ?? ?耗尽层变宽VGS控制导电沟道的宽窄，即控制ID的大小。VP(VGS(OFF) )：夹断电压第4页/共37页 工作原理（2）VDS对导电沟道的影响：VDS0 ,但|VGS-VDS| | VP |. VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。 VDS?? ID ?ID第5页/共37页 工作原理(b)| VGS- VDS | = | VP |时，导电沟道在a点相遇，沟道被夹断。VGS=0时，产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSSID第6页/共37页 工作原理(c) VDS??夹端长度?场强大? ID=IDSS基本不变。IDJ型场效应管的工作原理动画第7页/共37页 3. 特性曲线VDS=10V时的转移特性曲线IDSS是在VGS = 0， VDS |VP |时的漏极电流 当|vGS - vDS |? | vP |后，管子工作在恒流区，vDS对iD的影响很小。实验证明，当|vGS - vDS |? | VP | 时，iD可近似表示为：特性特性2第8页/共37页 §1.4. 2绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transistor) 绝缘栅型场效应管IGFET又称金属氧化物场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻可达1015?。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下有iD。第9页/共37页 1. N沟道增强型MOSFET浓度较低的P型硅SiO2 薄膜绝缘层两个高掺杂的N型区从N型区引出电极作为D和S在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为GD(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当eB(Substrate):衬底结构动画(1) 结构和符号第10页/共37页 (2) 工作原理（以N沟道增强型为例）(a) VGS=0时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反向，所以不存在导电沟道。 VGS =0， ID =0VGS必须大于0管子才能工作。①栅源电压VGS的控制作用栅源电压VGS的控制作用动画第11页/共37页 ①栅源电压VGS的控制作用 （b）当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VT （ VT 称为开启电压) 0＜VGS＜VT ， ID=0栅源电压VGS的控制作用动画第12页/共37页 ①栅源电压VGS的控制作用(c)进一步增加VGS，当VGS＞VT时， VGS 0?g吸引电子?反型层?导电沟道VGS? ?反型层变厚? VDS ? ?ID ?栅源电压VGS的控制作用动画第13页/共37页 ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用（a）如果VGS＞VT且固定为某一值，沟道变化；VDS? ?ID ?②漏源电压VDS对漏极电流ID的影响漏源电压VDS对沟道的影响动画第14页/共37页 ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用（b）当VDS增加到使VGD=VT时，沟道如图所示，靠近漏极的沟道被夹断，称为预夹断。漏源电压VD