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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体器件及其制造方法。将沟槽栅极电极和栅极焊盘电连接的内置电阻器由导电膜形成，该导电膜经由绝缘膜形成在半导体衬底上。此处，绝缘膜的膜厚度大于沟槽内的绝缘膜的膜厚度，并且小于作为场氧化膜的绝缘膜。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520226 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202111299113.2 H01L 23/48 (2006.01) (22)申请日 2021.11.

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