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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一第一衬垫，位于该基板上方；以及一第一重分布结构，包括位于该第一衬垫上的一第一重分布导电层和位于该第一重分布导电层上的一第一重分布热释放层。该第一重分布热释放层被配置以维持一热电阻介于约0.04℃cm2/Watt到约0.25℃cm2/Watt之间。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520207 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202110975248.X (22)申请日 2021.08.24 (30)优先权数据 17/100,330 2020

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