光电二极管单元及光电二极管阵列.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及一种光电二极管单元及光电二极管阵列,包括:衬底,具有第二导电类型;第一阱区,具有第一导电类型,设于所述衬底内;第二阱区,具有第二导电类型,设于所述第一阱区内;所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;红外窗口区,形成于所述第二阱区的上表面;第一电极,位于所述第一阱区的上方,且与所述第一阱区电连接;第二电极,位于所述第二阱区的上方,且与所述第二阱区电连接;其中,所述红外窗口区、所述第一阱区的底面及所述第二阱区的底面均为多边形。上述光电二极管单元可以增大红外窗口区的总面积,使得红外窗

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520268 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011302185.3 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 无锡华润微电子有限公司 地址 21

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