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半导体结构的制造方法和半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体结构的制造方法和半导体结构.pdf

    本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底具有相邻设置的第一区域和第二区域；在基底的第一区域和第二区域中均形成多个沟槽，多个沟槽沿第一方向间隔排布。在沟槽中形成字线，第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域中的字线的特征尺寸。在特征尺寸较大的字线上形成接触结构。本发明能够减小接触结构的设置难度，减小接触结构与字线连接处的接触电阻，保证两者连接的稳定性，提升半导体结构的性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520194 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011301297.7 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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