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SGT-MOSFET半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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SGT-MOSFET半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，在半导体衬底上形成初始第一牺牲层，所述初始第一牺牲层还覆盖深沟槽的侧壁和底部；采用注入工艺对所述初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层。通过对深沟槽侧壁的初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层，所述第二牺牲层的致密性低于所述第一牺牲层，从而实现对SGT纵向耗尽的调节，进而实现

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520147 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011302582.0 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 旭矽半导体（上海）有限公司 地址

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