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氮化硅膜的成膜方法和成膜装置.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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氮化硅膜的成膜方法和成膜装置.pdf

    氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114517289 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202111318553.8 (22)申请日 2021.11.09 (30)优先权数据

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