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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法,属于半导体技术领域,用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置,包括交变磁束发生组件,利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束,晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内,置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流,涡电流通过晶圆产生焦耳热,对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法,包括如下步骤:利用交流电产生交变磁束,将晶圆置于交变磁束内,晶圆内产生涡电流,涡电流通过晶圆产生焦耳热,对晶圆进行加热。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114521035 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011293519.5 G03F 7/20 (2006.01)
(22)申请日 2020.11.1
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